12月17日晚，南大光电（300346.SZ）发布公告称，公司自主研发的ArF光刻胶产品成功通过客户使用认证，这标志着ArF光刻胶产品开发和产业化取得了关键性突破。
ArF光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料，对国内半导体自主研发及国产化意义重大。
历时四年研发攻克ArF光刻胶
国内集成电路产业获得重大突破！首只国产ArF光刻胶在南大光电诞生。这是南大光电历时四年自主研发的成果。
根据公告，近日，南大光电控股子公司宁波南大光电材料有限公司（简称宁波南大光电）自主研发的ArF光刻胶产品成功通过客户的使用认证。
“ArF光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02专项”的一个重点攻关项目，于2017年开始研发，至今已近四年。
认证评估报告显示，本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。
南大光电在公告中表示，本次产品认证的通过，标志着“ArF光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，为全面完成项目目标奠定了坚实的基础。
ArF光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料，可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。广泛应用于高端芯片制造，包括逻辑芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等。
2018年12月22日，南大光电曾披露上述项目可行性研究报告，此次实现突破的为193nm 的ArF光刻胶。
在今年半年报中，公司披露，193nm光刻胶作为当前高端芯片制造中最为核心的原材料，被誉为半导体工业的“血液”，可以用于90nm~14nm技术节点的集成电路制造工艺。
截至今年6月底，公司安装完成一条193nm光刻胶生产线，用于产品检测的光刻机也已完成安装，产线和光刻机均处于调试阶段。
市场认为，ArF光刻胶的市场前景好于预期。随着国内IC行业的快速发展，自主创新和国产化步伐的加快，以及先进制程工艺的应用，将大大拉动光刻胶的用量。
官网显示，南大光电的历史起源于1986年，技术来源于南京大学。创始人孙祥祯教授开始承担国家科委组织的“高纯度金属有机化合物（MO源）”国家“七五”重点科技攻关的研究与开发，高纯三甲基锑研发成功。1991年，研究组向国内半导体材料科研和生产需求单位提供多种MO源产品。2000年，开发出适合三甲基镓、三甲基铟等大规模工业化生产的新工艺，实施高纯三甲基镓、三甲基铟、二乙基锌、二茂镁的产业化生产。
经过多年系列布局，如今的南大光电产业布局，除了光刻胶外，还有MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料等三大板块。
在这三大板块中，MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，在半导体照明、信息通讯、航空航天等领域有极其重要作用。目前，南大光电是全球主要MO源生产商，市占率约为25%，产品主要应用于制备LED外延片等，不仅实现了进口替代，还远销亚太及欧美地区。
电子特气是集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、LED、太阳能电池、光纤等电子工业生产中必不可少的基础和支撑性材料。南大光电生产的高纯磷烷、砷烷纯度达到6N级别，产品在LED行业取得主要的市场份额。同时，在IC行业，公司实现了产品进口替代。2019年下半年，公司收购山东飞源气体57.97%股权，进一步推进电子特种气体业务布局。
高纯ALD/CVD前驱体是整个电子工业体系的核心原材料之一，广泛应用于手机电脑芯片、太阳能电池、移动通讯、卫星导航、航天器等诸多方面，在航空航天、新型太阳能电池、电子产品等领域发挥着巨大作用。南大光电掌握了多种ALD/CVD前驱体材料的生产技术，并且具备规模化生产能力，可提供包括TDMAT在内的多种产品，部分产品已经通过客户验证，实现了小批量销售。
南大光电的目标是，成为一家国内一流、具备国际竞争力的电子材料企业。
来源于：视觉中国图，侵权告删 www.guolvfenlitech.com
| 欢迎光临 环球过滤分离技术网（http://guolvfenlitech.com）是中国过滤.分离.净化.纯化、超洁净技术行业领先的前沿科技、产品和技术信息供求，技术解决方案，技术交流分享以及过滤、分离、纯化、超洁净产品和技术供需服务平台。 (http://guolvfenlitech.com/) | Powered by Discuz! X3.3 |