【实验目的】
【实验原理】
溶胶-凝胶法制备薄膜方法有:浸渍法,旋涂法,喷涂法和简单刷涂法等。可根据基底材料的尺寸与形状以及对所制薄膜的要求而选择不同方法。目前比较常用的是浸渍法和旋涂法。浸渍法首先把基片浸渍到配置好的溶液中,按一定的速度把基片从溶液中拉出时,基片上形成一个连续的膜。根据经验和计算,可以得到一个合适的膜厚与拉出速率、膜厚与氧化物含量之间的关系式。用这种方法获得 50~500nm 的薄膜是容易的。可以通过反复浸渍和提拉获得厚膜,但这种膜干燥时易发生脱皮和开裂。旋涂技术所用的基片通常是硅片,它被放到一个具有一定转速的吸座上,溶液被滴到基片的中心处,在高速旋转基片的离心力作用下将溶液均匀地甩涂到整个基片,形成薄膜。
4 干燥
刚刚形成的膜中含有大量的有机溶剂和有机基团,称为湿膜。随着溶剂的挥发和反应的进一步进行,湿膜逐渐收缩变干。这种大量有机溶剂的快速蒸发将引起薄膜的剧烈的收缩,结果常会使薄膜出现龟裂,这是该工艺的一大缺点。但人们发现当薄膜厚度小于一定值时,薄膜在干燥过程中就不会龟裂,这可解释为当薄膜小于一定厚度时,由于基底的表面应力作用,在干燥过程中薄膜的横向(平行于基底)收缩完全被限制,仅能发生沿基片平面法线方向的纵向收缩,避免薄膜的龟裂。
5 焙烧
通过聚合反应得到的凝胶可能是晶态的,但也可能含有H2O、R-OH 剩余物以及-OR、-OH 等基团。充分干燥的凝胶经热处理,去掉这些剩余物及有机基团,即可得到所需要的具有较完整晶形的薄膜。
【实验器材】
1.主要原料(含清洗原料、溶质、溶剂、稳定剂、基底)
2.实验器皿(烧杯、量筒、玻璃棒、试管、移液枪)
3.操作仪器(超声波发生器、电子天平、磁力搅拌器、台式匀胶机、真空泵、电阻炉、鼓风干燥箱)
【实验步骤】
一、 溶胶凝胶法制备纳米ZnO薄膜
1 基片的清洗
本实验采用普通的载玻片作为衬底,先用自来水将其洗涤干净,以去除表面的灰尘及有机物。用自来水冲洗干净后,再分别经三氯乙烯 、 丙酮 、 无水乙醇、去离子水,先后在超声波发生器中各超声处理10min,随后烘干备用。
2 溶胶的制备
用电子天平秤取定量的Zn(OAc)2·2H2O,再加入定量无水乙醇,加热搅拌待Zn(OAc)2·2H2O全部溶解后,逐滴加入与Zn(OAc)2·2H2O等摩尔比的单乙醇胺MEA,待溶液澄清透明后,用磁力搅拌器在60℃下恒温搅拌2h后,在室温下静置48h。
3 旋转涂膜
本实验采取旋转涂覆法制备ZnO薄膜。将台式匀胶机置于通风厨中,打开电源,将准备好的干净的载玻片放在匀胶机的真空吸座上,启动真空泵,将基片吸住,并用移液枪吸少量配好的溶液滴到基片上,启动电机旋转样品即可。当薄膜太薄时,薄层会呈不连续岛状分布,降低薄膜光电性能,随着厚度的增加,薄膜的结构变得完整,缺陷逐渐减少,但当厚度过大时,容易造成薄膜与衬底的脱落,影响成膜质量,且薄膜的透过率明显降低。所以采取多次涂覆,涂覆层数为6层。先低速500r/min,旋涂10s,再高速3000r/min,旋涂20s,即可初步得到均匀的薄膜样品。
4 预热处理
每旋涂一次后,将涂覆的薄膜在电阻炉中一定温度下热处理10min。预热处理是为了促使有机溶剂的挥发,防止溶剂吸热而妨碍薄膜晶相的形成,从而有利于c轴的生长,但若温度过高,则晶格提前增长,破坏c轴生长的趋势。所以预热温度不宜过高,一般在100-300℃。经过预热处理后,下一次旋转涂膜就相当于在新的衬底上进行,可以有效防止薄膜脱落。
5 高温退火
为了改善薄膜质量,促进晶粒的进一步形成与增长,样品需进行高温处理,一方面可以使残留的有机物进一步挥发,另一方面可以降低薄膜的孔隙率,提高薄膜的结晶质量。在完成6次涂覆和预热处理后,将薄膜放入400-600℃的电阻炉中退火1h,待炉温降至100℃以下时取出。
如下为本实验的工艺流程图:
硅片在旋涂PMMA薄膜前要先置于稀释的氢氟酸中5min,以去除硅片表面的SiO2。然后用去离子水冲洗干净并吹干准备旋转涂覆。涂覆方法与ZnO薄膜制备相同,先低速300r/min,旋涂10s,再高速3000r/min,旋涂30s,即可初步得到均匀的薄膜样品。
4 干燥
将旋涂所得的薄膜置于密封的容器里放置12h,然后再在60℃鼓风干燥箱中放置2h以充分除去薄膜中残留的溶剂,得到质量较好的PMMA薄膜。
【注意事项】
1很多有机物有毒,使用时小心。
2 超声对人体有害,超声清洗时不要靠仪器太近。
3 每次预热处理要自然冷却到室温后才可取出样品。
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