JSM-IT800 与用于高分辨率观测的“镜头内肖特基 Plus 场发射电子枪”和下一代电子光学控制系统“Neo Engine”共享一个通用平台,并与嵌入在 GUI“SEM 中心”中的内部 EDS 共享一个平台,用于高速元素映射。
通过将SEM的物镜作为模块,我们提供满足客户各种需求的设备。
JSM-IT800 具有混合镜头版本 (HL),由于物镜的不同而成为通用 FE-SEM,具有可实现更高分辨率观察和分析的超级混合镜头版本(SHL/SHL,2 个版本,具体取决于功能),以及半镜头版本(i/is、 由于功能不同,有2个版本)和5个版本。
此外,JSM-IT800 还可以配备两种新的背散射电子探测器:闪烁体背散射电子探测器 (SBED) 和多用途背散射电子探测器 (VBED)。 SBED可以采集具有良好响应性和低加速电压的材料对比度图像。 VBED可以获取3D、不均匀度和材料对比度图像,因此可以预期获得迄今为止无法获得的信息,并改善问题的测量。
通过融合电子枪和低像差聚光镜实现了高亮度。 即使在低加速电压(100nA@5kV)下也能获得足够的照射电流,无需切换物镜即可进行高分辨率观察、高速元素映射、EBSD分析和软X射线分析。
它配备了下一代电光控制系统,该系统结合了JEOL的光电技术。
即使条件发生变化,也可以进行稳定的观察。 此外,自动功能的可用性也得到了极大的提高。
AFS/ACB
自动预采样
:碳上的锡纳米颗粒
入射电压:15 kV,WD:2 mm,观察模式:BD,探测器:UED,放大倍率:x200,000
自动后
操作GUI“SEM中心”和EDS分析完全集成,实现了下一代可操作性。 此外,它还配备了 Smile Navi(可选),以帮助初学者如何操作 SEM,以及 LIVE-AI(人工智能)过滤器(Live Image Visual Enhancer-AI: LIVE-AI)(可选),以便更轻松地查看实时图像。
取得データを一元管理できるSMILE VIEW™ Labにより、観察から分析まで全データのレポートを素早く簡単に作成できます。
装置を使用するのがはじめての方や使用に対して不安がある方でも、基本操作が問題なくできるよう設計されたアシストツールです。
説明に従いスマイルナビ内のアイコンをクリックするとSEMの操作画面が連動します。必要な操作手順やボタンの配置をSEMの操作画面に対して示してくれるため、将来的にスマイルナビなしでの操作の習得が期待できます。
(本機能はオプションです。)
ライブ像をみやすくする新開発のLIVE-AI (人工知能)フィルターを搭載しました。 積算処理と異なり残像がなく追従性の良いライブ像を表示できるため、視野探しやフォーカス、非点の調整に非常に有効なフィルターです。
(本機能はオプションです。)
ライブ像の比較
試料:蟻の外骨格、入射電圧:0.5kV、検出器:SED
試料:鉄のさび、入射電圧:1kV、検出器:SED
JSM-IT800シリーズはユーザーの目的に応じて対物レンズを選択できます。
HLバージョンとSHLバージョン (SHLsバージョン含む) は、汎用性の高いアウトレンズから発展した電磁場重畳型対物レンズを搭載しています。
鉄鋼材料からナノ材料までさまざまな試料の高分解能観察や分析が可能です。特に磁性材料の観察やEBSD測定などの分析において大変有効です。
iバージョンとisバージョンはセミインレンズを搭載しています。半導体デバイスの不良解析で必要な傾斜した試料や断面試料の高分解能観察や分析が得意です。
さらに、上方インレンズ検出器 (UID) による電位コントラスト観察において威力を発揮します。
アウトレンズ型 | 電磁場重畳型 | セミインレンズ型 |
汎用性が高い 装置:JSM-IT700HR | 汎用性と高分解能を両立 装置: JSM-IT800HL/SHL | 高分解能を追及 装置: JSM-IT800i/is |
SHLバージョンの対物レンズの中に搭載された新検出器UHDにより、試料から発生した電子の検出効率が大幅に向上し、高S/Nな像取得ができます。
UHD (上方ハイブリッド検出器)
SHLを用いた観察例
試料:アルミナ粒子
入射電圧: 0.5 kV、観察モード: BD、検出器: UHD
試料表面にある数nmの微細なステップ構造が観察できます。
SHLバージョンで撮影
入射電圧: 0.3 kV、観察モード: BD、検出器: UHD
薄いシート状の試料の表面構造を明瞭に観察できます。※SHLバージョンで撮影
試料:アルミべーマイト
入射電圧: 0.2 kV、観察モード: BD、検出器: UHD+UED (加算モード)
試料提供: 京都大学生存圏研究所教授 矢野 浩之様
有機繊維であっても電子線によるダメージを抑えて観察できます。※SHLバージョンで撮影
試料:セルロースナノファイバー (CNF)
試料:ICチップ断面 (表面エッチング)
入射電圧: 5.0 kV (試料バイアスなし)、観察モード: SHL、検出器: UHD, UED (反射電子モード)UHDで二次電子像、UEDで反射電子像を観察できます。
HLを用いた観察例
入射電圧: 20 kV、WD: 2 mm、観察モード: BD、検出器: UED
試料: カーボン上のPtナノ粒子
入射電圧: 1 kV、WD: 3 mm、観察モード: STD、検出器: SED
試料: ゼオライト
入射電圧: 0.5 kV、WD: 2 mm、観察モード: BD、検出器: UED
試料: シールテープ
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