我院新型高端光刻胶树脂的设计制备取得进展

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2021-10-20   环球过滤分离技术网   nanopuretech9

光刻胶是集成电路中实现芯片图形转移的关键基础化学材料，在光刻胶的高端领域，技术一直为美国、日本厂商等所垄断，亟需开发自有技术。

针对由于其基体树脂和光敏剂的分子结构设计性差，导致其无法满足于高端需求。我院新材料研究部从分子水平对产品结构进行设计、优化，以期获得新型高端光刻胶，实现知识产权自主化。重点围绕具有酸或碱不稳定性基团的基体树脂、产酸剂的分子结构设计展开。主要包括新型光刻胶的合成及测试表征、光刻胶配制及配方优化、光刻性能评价研究。

开展丙烯酸类光刻胶研究，应用于DUV/EUV/EBL

· 光刻图案线条分辨率≤2μm @UV365nm，≤30nm@电子束光刻
· 光刻图案可实现多次可逆响应及结构色，可用于信息加密存储等

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