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超净高纯试剂的国际标准

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发表于 2021-1-8 11:31:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 guolvfenlitech8 于 2021-1-8 11:33 编辑





2021-01-08   环球过滤分离技术网   guolvfenlitech8


超净高纯试剂的国际标准

国际半导体设备与材料组织(SEMI)于1975年成立了SEMI化学试剂标准委员会,专门制定了超净高纯试剂的国际标准,将其应用范围分为4个等级:

1.SEMI-C1标准,适用于>1.2um IC制程;
2.SEMI-C7标准,适用于0.8~1.2um IC制程
3.SEMI-C8标准,适用于0.2~0.6um IC制程
4.SEMI-C12标准,适用于0.09~0.2um IC制程
用于湿法清洗的超净高纯试剂主要用于:1.基片涂胶前的清洗;2.光刻过程中的蚀刻及最终的去胶;3.硅片本身制作过程中的清洗。


湿法蚀刻是指借助于化学反应从硅片的表面 去 除 固 体 物 质 的 过程。湿法蚀刻包括1.绝缘膜蚀刻;2.半导体膜 蚀 刻 3.导 体 膜 蚀刻4. 有机材料蚀刻。湿法蚀刻常用的试剂有HF,NH4F,HNO3,H3PO4,醋酸等。



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